真空镀膜机电子束蒸发与磁控溅射镀铝性能分析研究，为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了真空镀膜设备电子束蒸发与磁控溅射两种方法制备Al膜的特点。
严格控制发Al膜的厚度是十分重要的，因为Al膜的厚度将直接影响Al膜的其它性能，从而影响半导体器件的可靠性。对于高反压功率管来说，它的工作电压高，电流大，没有一定厚度的金属膜会造成成单位面积Al膜上电流密度过高，易烧毁。对于一般的半导体器件，Al层偏薄，则膜的连续性较差，呈岛状或网状结构，引起压焊引线困难，造成不易压焊或压焊不牢，从而影响成品率;Al层过厚，引起光刻时图形看不清，造成腐蚀困难而且易产生边缘腐蚀和“连条”现象。
采用真空镀膜机电子束蒸发，行星机构在沉积薄膜时均匀转动，各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处，各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用真空镀膜机磁控溅射镀膜方法，由于沉积电流和靶电压可以控制，也即是溅射功率可以调节并控制，因此膜厚的可控性和重复性较好，并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。
附着力反映了Al膜与基片之间的相互作用力，也是保证器件经久耐用的重要因素。真空镀膜设备溅射原子能量比蒸发原子能量高1-2个数量级。真空镀膜机高能量的溅射原子沉积在基片上进行的能量转换比蒸发原子高得多，产生较高的热能，部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层溅射原子与基片原了相互溶合的伪扩散层，而且，在真空镀膜设备成膜过程中基片始终在等离子区中被清洗和激活，清除了附着力不强的溅射原子，净化且激活基片表面，增强了溅射原子与基片的附着力，因而溅射Al膜与基片的附着力较高。
关键词：真空镀膜机
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